[发明专利]一种氧化物忆阻器及其集成方法有效
| 申请号： | 201811555663.4 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109728160B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;方亦陈;王宗巍;凌尧天;肖韩;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种氧化物忆阻器及其集成方法，基于当前集成电路制造业标准CMOS后端工艺，通过专门设计的工艺流程来来实现氧化物忆阻器的制备，减小忆阻器对后端工艺的影响，以更好地兼容后端工艺。本发明使得在普通传统CMOS工艺线上制作忆阻器及其阵列成为可能。此外，忆阻器有助于研究阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经网络的研究有着重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 忆阻器 及其 集成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成在CMOS后端工艺的氧化物忆阻器或其阵列，包括位于后端工艺的金属阻挡层及其上的第一介质层，在第一介质层中有两类沟道，其中第一类沟道内部自下而上依次为第二介质层、第一金属层和第二金属层，底部的第二介质层与其正下方的下层器件金属层直接相连；第二类沟道内自下而上依次为第一金属层和第二金属层，底部的第一金属层与其正下方的下层器件金属层直接相连；两类沟道之间的距离满足后端设计规则的最小距离要求。
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