[发明专利]一种柔性双层阈值选通管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811543867.6 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109585651A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 叶葱;周易;徐中;熊文;刘炎欣 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种柔性双层阈值选通管器件及其制备方法。所述选通管器件从下至上依次包括柔性衬底、底电极、氧化石墨烯薄膜层、二元过渡金属氧化物介质层和顶电极，所述底电极为ITO；所述二元过渡金属氧化物材料为氧化铪薄膜；所述顶电极为铂电极。本发明是通过旋涂法以及磁控溅射技术分别溅射制备各层薄膜。本发明的优点是：通过在传统过渡金属氧化物介质层和底电极之间设置了一层氧化石墨烯薄膜层，实现了双向阈值选通行为，且器件在不同弯曲曲率条件下可保持良好读写性能，弯曲前后未有明显退化。另外，本发明制备工艺简单，与CMOS工艺兼容，制得的柔性选通管器件可以有效解决阻变存储器交叉阵列结构中的漏电问题，具有较大的发展潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 选通管 过渡金属氧化物 氧化石墨烯薄膜 底电极 介质层 制备 磁控溅射技术 发明制备工艺 交叉阵列结构 氧化铪薄膜 阻变存储器 读写性能 漏电问题 弯曲曲率 有效解决 制备各层 铂电极 顶电极 旋涂法 衬底 溅射 选通 薄膜 兼容 退化 | ||
【主权项】：
1.一种柔性双层阈值选通管器件，其特征在于：所述选通管器件从下至上依次包括柔性衬底、底电极、氧化石墨烯薄膜层、二元过渡金属氧化物介质层和顶电极。
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