[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811541729.4 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109659406A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，布拉格反射层包括交替层叠的多层AlN层和多层AlGaN层。由于AlN层的折射率小于AlGaN层的折射率，且AlN层和AlGaN层的折射率均小于n型GaN层的折射率，发光层发出的光在通过n型GaN层和布拉格反射层的界面时会发生全反射，且在通过AlN层和AlGaN层的界面时也会发生全反射，使向衬底一侧发出的光被反射向p型层一侧，从而提高出光效率，使LED的亮度得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 折射率 布拉格反射层 外延片 衬底 发光二极管 发光层 全反射 多层 应力释放层 出光效率 交替层叠 缓冲层 光电子 反射 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，所述布拉格反射层包括交替层叠的多层AlN层和多层AlGaN层。
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