[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811541729.4 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109659406A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 折射率 布拉格反射层 外延片 衬底 发光二极管 发光层 全反射 多层 应力释放层 出光效率 交替层叠 缓冲层 光电子 反射 制作 制造 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，所述布拉格反射层包括交替层叠的多层AlN层和多层AlGaN层。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlN层的厚度和所述AlGaN层的厚度均为应用波长的1/4。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述多层AlN层和所述多层AlGaN层交替层叠的周期数为1～20。
4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlN层的折射率为1.87～2.2，所述AlGaN层的折射率为2.22～2.27。
5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层包括交替层叠的InxGa1-xN层和GaN层，0<x＜1。
6.一种发光二极管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次外延生长缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，所述布拉格反射层包括交替层叠的多层AlN层和多层AlGaN层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述布拉格反射层的生长温度为1000～1200℃。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述布拉格反射层的生长压力为100～300torr。
9.根据权利要求6～8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述应力释放层的生长温度为830～870℃。
10.根据权利要求6～8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述p型层的生长温度为850～1080℃。
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