[发明专利]SiC锭及SiC锭的制造方法有效
| 申请号： | 201811539291.6 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109957840B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 金田一麟平;藤川阳平;奥野好成 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B31/06;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。该SiC锭具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC锭，具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。
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