[发明专利]一种利用高能脉冲反应磁控溅射制备二氧化钒智能热控器件的方法有效

专利信息
申请号: 201811533297.2 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109518148B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 赵九蓬;张伟岩;豆书亮;李垚;任飞飞;陈曦 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/08
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种利用高能脉冲反应磁控溅射制备二氧化钒智能热控器件的方法,涉及一种制备二氧化钒智能热控器件的方法。目的是解决现有磁控溅射制备VO2智能热控器件的工艺存在制备温度高的问题。利用高能脉冲靶磁控溅射装置在基底表面沉积金属反射层,然后在金属反射层表面沉积VO2功能层,最后在VO2功能层表面沉积保护层。本发明将高能脉冲磁控溅射方法应用于VO2智能热控器件制备,优点是所需制备温度低,所需成本较低。本发明适用于制备二氧化钒智能热控器件。
搜索关键词: 一种 利用 高能 脉冲 反应 磁控溅射 制备 氧化 智能 器件 方法
【主权项】:
1.一种利用高能脉冲反应磁控溅射制备二氧化钒智能热控器件的方法,其特征在于:该方法按照以下步骤进行:步骤一:利用高能脉冲靶磁控溅射装置在基底表面沉积金属反射层依次用丙酮、甲醇和超纯水对超声基底清洗10~20min,将基底放入高能脉冲靶磁控溅射装置的溅射仓内,将溅射仓抽成真空,加热基底,然后向溅射仓内通入氩气;以金、银或铝为靶材,在基底表面沉积金属反射层;步骤二:在金属反射层表面沉积VO2功能层以钒为靶材,向高能脉冲靶磁控溅射装置的溅射仓内通入氩气和氧气的混合气,在金属反射层表面沉积VO2功能层;步骤三:在VO2功能层表面沉积保护层以Al或Hf为靶材,向高能脉冲靶磁控溅射装置的溅射仓内通入氩气和氧气的混合气,在VO2功能层表面沉积保护层。
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