[发明专利]SiC单晶的加工方法及SiC锭的制造方法有效
| 申请号： | 201811532230.7 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109957839B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及SiC单晶的加工方法及SiC锭的制造方法。该SiC单晶(1)的加工方法包括：测定工序，至少沿着通过俯视中央的第1方向和与所述第1方向正交的第2方向来测定SiC单晶(1)的原子排列面(2)的形状；及表面加工工序，对所述SiC单晶(1)的成为贴附面的第1面进行加工，所述表面加工工序具有对所述第1面进行磨削的磨削工序，在所述磨削工序中，使所述第1面和与所述第1面相对的第2面的表面状态具有差异，通过泰曼效应使所述原子排列面(2)平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | sic 加工 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶的加工方法，包括：测定工序，至少沿着通过俯视中央的第1方向和与所述第1方向正交的第2方向来测定具有第1面和第2面的SiC单晶的原子排列面的形状；以及表面加工工序，对所述SiC单晶的成为贴附面的第1面进行加工，所述表面加工工序具有对所述第1面进行磨削的磨削工序，在所述磨削工序中，使所述第1面和与所述第1面相对的第2面的表面状态具有差异，通过泰曼效应使所述原子排列面平坦化。
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