[发明专利]一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811525726.1 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109786482B 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 张曙光;温雷 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/07;H01L31/18
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 王东东
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法,包括以下步骤:(1)在P型InP晶圆上制备金电极;(2)将镀好金电极的P型InP圆片用金刚刀切割成方片,得到P型InP片;(3)清洗P型InP片;(4)在清洗吹干后的P型InP片上镀ZnO电子传输层;(5)取出已经镀好ZnO电子传输层的P型InP片,将已经准备好的石墨烯进行转移到P型InP片表面上;(6)后处理;(7)在石墨烯边缘用注射器做一圈导电银胶,烘干导电银胶。本发明还公开了一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池。本发明不仅制备工艺简单,工艺成本较低,而且光电转换效率高。
搜索关键词: 一种 包含 电子 传输 肖特基结 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在P型InP晶圆上制备金电极;(2)将镀好金电极的P型InP圆片用金刚刀切割成方片,得到P型InP片;(3)清洗P型InP片;(4)在清洗吹干后的P型InP片上镀ZnO电子传输层;(5)取出已经镀好ZnO电子传输层的P型InP片,将已经准备好的石墨烯进行转移到P型InP片表面上;(6)转移石墨烯后的P型InP片于120~150℃下烘烤15~20min;然后在35~40℃丙酮下处理10~15min;转移到常温丙酮下浸泡;(7)在石墨烯边缘用注射器做一圈导电银胶,烘干导电银胶。
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