[发明专利]一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在P型InP晶圆上制备金电极；

(2)将镀好金电极的P型InP圆片用金刚刀切割成方片，得到P型InP片；

(3)清洗P型InP片；

(4)在清洗吹干后的P型InP片上镀ZnO电子传输层；

(5)取出已经镀好ZnO电子传输层的P型InP片，将已经准备好的石墨烯进行转移到P型InP片表面上；

(6)转移石墨烯后的P型InP片于120～150℃下烘烤15～20min；然后在35～40℃丙酮下处理10～15min；转移到常温丙酮下浸泡；

(7)在石墨烯边缘用注射器做一圈导电银胶，烘干导电银胶。

2.根据权利要求1所述的包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述在P型InP晶圆上制备金电极，具体为：

将P型InP晶圆贴在圆盘上，围绕圆片的四周贴上一圈胶带，然后放进电子束蒸镀系统，蒸镀金电极。

3.根据权利要求1所述的包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述清洗P型InP片，具体为：

取切割好的P型InP片，把P型InP片放在清洗架上，放进装有丙酮的烧杯，超声波清洗5-20min；把丙酮换为乙醇，再用超声波清洗5～20min；用超纯水冲洗3～5遍后，放进盐酸里处理2min；接下来用配好的硫代乙酰胺溶液处理3～8min，作简单的钝化处理，钝化P型InP表面；最后是用超纯水冲洗P型InP表面3～5遍后，用吹风机轻轻地将表面吹干。

4.一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池，其特征在于，由下至上依次包括底部金电极，P型InP片，电子传输层，石墨烯和导电Ag电极；所述电子传输层为ZnO薄膜。

5.根据权利要求1所述的包含电子传输层的肖特基结太阳电池，其特征在于，所述电子传输层的厚度为5-10纳米。

6.根据权利要求1所述的包含电子传输层的肖特基结太阳电池，其特征在于，所述P型InP片尺寸为2-4英寸，P型InP片的空穴浓度为1×10¹⁷-8×10¹⁸cm^-3。

7.根据权利要求1所述的包含电子传输层的肖特基结太阳电池，其特征在于，石墨烯的层数为2-10层。

8.根据权利要求1所述的包含电子传输层的肖特基结太阳电池，其特征在于，所述导电Ag胶的厚度为1-5微米。