[发明专利]一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811525248.4 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109621979B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 何丹农;卢静;涂兴龙;白仕亨;李砚瑞;金彩虹 申请(专利权)人: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;C01B3/04
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法,结合原子层沉积和水热的方法,在氟掺杂氧化锡(FTO)基底上实现了ZnIn2S4纳米片阵列结构的原位生长,后采用ALD技术沉积一定厚度的ZnO薄膜,构建了ZnO/ZnIn2S4纳米异质结结构,获得了具有高效可见光催化活性的ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的异质结,在提高吸可见光吸收率的同时,使得光生载流子在界面处有效分离,从而大幅提高了光电流密度。本发明制备工艺整体简单可控,绿色环保,可重复性高,适用于规模化制备,在光催化等工程领域具有巨大的应用前景。
搜索关键词: 一种 zno 锌铟硫 纳米 异质结 制备 方法
【主权项】:
1.一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法,锌铟硫分子式为ZnIn2S4,其特征在于结合原子层沉积和水热的方法,在氟掺杂氧化锡(FTO)基底上实现了ZnIn2S4纳米片阵列结构的原位生长,后采用原子层沉积(ALD)技术沉积一定厚度的ZnO薄膜,构建具有高效可见光催化活性的ZnO/ZnIn2S4纳米异质结结构,包括以下步骤:(1)在洁净的FTO导电玻璃表面,通过ALD沉积ZnS纳米薄膜作为基底;(2)将锌源、铟源和硫源加入到反应釜内胆中,使铟源和硫源的摩尔比为1:2~4:1,锌源和硫源的比例为1:4,再加入有机溶剂,然后进行搅拌或超声溶解,配成铟盐浓度为0.1‑0.6M的前驱体;将(1)中基底和配置好的前驱体放入反应釜中并密封,控制温度在150~220℃,反应时间为1~12小时;(3)反应结束后,取出样品清洗干燥,然后再用ALD在其表面沉积一层ZnO纳米薄膜,即可得到在FTO上均匀生长的ZnO/ZnIn2S4纳米异质结。
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