[发明专利]一种电路结构

摘要

本发明公开了一种电路结构。上述电路结构包括：冗余存储模块，用以响应于测试字线电压的驱动，模拟存储单元的读操作；判断模块，与冗余存储模块的内部节点相连，用以响应于读操作，判断测试字线电压是否使冗余存储模块的内部节点在读操作时发生偏转，响应于发生偏转，冗余存储模块以调整的测试字线电压模拟读操作，直至判断模块判断内部节点在读操作中不发生偏转；以及统计模块，用以统计并输出偏转次数，偏转次数被用于结合每次的测试字线电压调整量来表征临界字线电压。根据本发明所提供的电路结构，能够有效判断存储单元是否需要降低字线电压驱动，并且获得使存储单元工作在最佳状态的临界字线降低电压。

主权项

1.一种电路结构，用以获得临界字线电压，以使SRAM存储单元的内部节点在读操作时保持稳定，所述电路结构包括冗余存储模块、判断模块和统计模块，其中：所述冗余存储模块用以响应于测试字线电压的驱动，模拟所述SRAM存储单元的读操作；所述判断模块与所述冗余存储模块的内部节点相连，用以响应于所述读操作，判断所述测试字线电压是否使所述冗余存储模块的内部节点在所述读操作时发生偏转，响应于发生偏转，所述冗余存储模块以调整的测试字线电压模拟所述读操作，直至所述判断模块判断所述内部节点在所述读操作中不发生偏转，以及所述统计模块用以统计并输出偏转次数，所述偏转次数被用于结合每次的测试字线电压调整量来表征所述临界字线电压。