[发明专利]一种电路结构

说明书

本发明公开了一种电路结构。上述电路结构包括：冗余存储模块，用以响应于测试字线电压的驱动，模拟存储单元的读操作；判断模块，与冗余存储模块的内部节点相连，用以响应于读操作，判断测试字线电压是否使冗余存储模块的内部节点在读操作时发生偏转，响应于发生偏转，冗余存储模块以调整的测试字线电压模拟读操作，直至判断模块判断内部节点在读操作中不发生偏转；以及统计模块，用以统计并输出偏转次数，偏转次数被用于结合每次的测试字线电压调整量来表征临界字线电压。根据本发明所提供的电路结构，能够有效判断存储单元是否需要降低字线电压驱动，并且获得使存储单元工作在最佳状态的临界字线降低电压。

技术领域

本发明涉及芯片设计领域，特别是涉及一种应用于可调节下字线驱动(Word-LineUnder-Drive，WLUD)读辅助电路中的字线电压感应模块(SENSOR)的电路结构。

背景技术

现有的应用于静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)的WLUD读写辅助电路的电路结构如图1所示。上述电路结构中的控制器模块主要通过时序逻辑来为一个接电源电压的PMOS管提供栅极使能信号，并为一个接地的PMOS管提供栅极开关信号。

现有技术的上述控制器模块只能通过上述接地的PMOS管和上述接电源电压的PMOS管上的分压，来降低字线(Word-Line，WL)的电压，却无法通过侦测上述SRAM存储单元的内部节点是否发生读翻转，来判断是否需要进行上述下字线驱动WLUD，并确定上述下字线驱动WLUD的档位。

现有技术的上述做法的缺陷之一在于无法追踪上述SRAM存储单元的内部节点，若产生的WLUD信号偏低，则限制读写速度，牺牲了上述静态随机存取存储器SRAM的性能；若产生的WLUD信号偏高，则无法有效提高上述SRAM存储单元的良率。

现有技术的上述做法的缺陷之二在于WLUD电压只有一种值，若在此值下上述SRAM存储单元内部节点仍旧发生了读翻转，则上述WLUD电路无法调整，可调节性差，而且在上述WLUD失效的情况下对良率的提升能力也会失效。

因此，本领域亟需一种可调节WLUD读写辅助电路中的字线电压感应模块的电路结构，用以有效判断上述SRAM存储单元是否需要降低字线电压驱动，并且获得使上述SRAM工作在最佳状态的临界字线降低电压。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。

为了解决现有技术存在的上述技术问题，本发明提供了一种可调节WLUD读写辅助电路中的字线电压感应模块的电路结构，用以获得临界字线电压，以使SRAM存储单元的内部节点在读操作时保持稳定。

本发明提供的上述电路结构可以包括：冗余存储模块、判断模块和统计模块，其中：

上述冗余存储模块，用以响应于测试字线电压的驱动，模拟上述SRAM存储单元的读操作；

上述判断模块与上述冗余存储模块的内部节点相连，用以响应于上述读操作，判断上述测试字线电压是否使上述冗余存储模块的内部节点在上述读操作时发生偏转，响应于发生偏转，上述冗余存储模块以调整的测试字线电压模拟上述读操作，直至上述判断模块判断上述内部节点在上述读操作中不发生偏转，以及

上述统计模块，用以统计并输出偏转次数，上述偏转次数被用于结合每次的测试字线电压调整量来表征上述临界字线电压。