[发明专利]组合放大器在审
| 申请号： | 201811513376.7 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109639245A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 何弢 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/68 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，本发明是要解决现有基于CMOS晶体管的放大器的噪声性能较差的问题，提出一种组合放大器，包括第一级放大器、第二级放大器和电流源模块，所述第二级放大器为CMOS晶体管，所述电流源模块与后级放大器的输入端连接，所述第一级放大器为双极型晶体管，所述电流源模块包括上置电流源模块和下置电流源模块，所述上置电流源模块分别与双极晶体管的集电极和第二级放大器的输入端连接，所述下置电流源模块与双极型晶体管的发射极连接。整个放大器形成双极型晶体管和CMOS晶体管混合工作的模式，对于单独的基于COMS晶体管的放大器来说，降低了噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 电流源模块 第二级放大器 双极型晶体管 放大器 第一级放大器 输入端连接 组合放大器 下置 半导体技术领域 发射极连接 放大器形成 后级放大器 双极晶体管 噪声性能 集电极 晶体管 噪声 | ||
【主权项】：
1.组合放大器，包括第一级放大器、第二级放大器和电流源模块，所述第二级放大器为CMOS晶体管，所述电流源模块与后级放大器的输入端连接，其特征在于，所述第一级放大器为双极型晶体管，所述电流源模块包括上置电流源模块和下置电流源模块，所述上置电流源模块分别与双极晶体管的集电极和第二级放大器的输入端连接，所述下置电流源模块与双极型晶体管的发射极连接。
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