[发明专利]一种激光刻蚀和电化学阳极氧化结合制备多孔硅的方法有效
| 申请号： | 201811495877.7 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109592685B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 程银芬;陈辉;王非森;王梦超;陈勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 吴桐 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种激光刻蚀和电化学阳极氧化结合制备多孔硅的方法，其特征如下：首先采用皮秒脉冲激光对硅片的抛光面进行刻蚀，在硅片的抛光面形成布满纵横交错凹槽的刻蚀区域，所述每个凹槽的深度为1.5‑2.5μm，宽度为2‑5μm，相邻凹槽中心之间的距离为8‑10μm；然后对刻蚀后的硅片依次进行清洗和电化学阳极氧化处理；所述电化学阳极氧化处理的电流为50‑80mA，时间为8‑15min。该方法制备的多孔硅孔洞呈四角星形，孔隙率大，内部呈蜂窝状结构，吸附能力强，并且内部结构稳定，不发生坍塌，易于实现多孔硅为骨架的纳米复合物含能材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 刻蚀 电化学 阳极 氧化 结合 制备 多孔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光刻蚀和电化学阳极氧化结合制备多孔硅的方法，其特征如下：首先采用皮秒脉冲激光对硅片的抛光面进行刻蚀，在硅片的抛光面形成布满纵横交错凹槽的刻蚀区域，所述每个凹槽的深度为1.5‑2.5μm，宽度为2‑5μm，相邻凹槽中心之间的距离为8‑10μm；然后对刻蚀后的硅片依次进行清洗和电化学阳极氧化处理；所述电化学阳极氧化处理的电流为50‑80mA，时间为8‑15min。
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