[发明专利]具有场板的半导体器件在审
| 申请号： | 201811493907.0 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109904226A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 水江千帆子;吉田智洋 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;卢吉辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了具有场板的一种场效应晶体管(FET)类型的晶体管。所述场效应晶体管提供有源区和将有源区夹在其间的两个非有源区，其中各电极设置在所述有源区中。所述FET还包括漏极指、漏极总线和源极指、源极总线。漏极指、源极指与漏极总线和源极总线重叠；而漏极总线、源极总线设置在相应的非有源区中。所述场板包括场板指和场板互连件。所述场板指在面向所述漏极的一侧平行于所述栅极延伸。在各个非有源区中的与存在漏极总线的非有源区相对的一个非有源区中，所述场板互连件将所述场板指和所述源极互连件连接。 | ||
| 搜索关键词： | 场板 非有源区 漏极总线 源极总线 漏极 源区 场效应晶体管 互连件 源极指 半导体器件 电极设置 源极互连 栅极延伸 晶体管 平行 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管类型的晶体管，其具有漏极、源极和栅极，所述晶体管包括：半导体叠层，其具有有源区和将所述有源区夹在其间的非有源区，所述有源区中设置有所述漏极、所述源极和所述栅极；漏极互连件，其包括漏极总线和漏极指，所述漏极总线设置在所述非有源区中的一个非有源区中，所述漏极指实质上平行于所述栅极延伸并且与所述漏极重叠；源极互连件，其包括源极总线和源极指，所述源极总线设置在所述非有源区中的另一个非有源区中，所述源极指实质上平行于所述栅极延伸并且与所述源极重叠；以及场板，其包括场板指和场板互连件，所述场板指实质上平行于在所述栅极和所述漏极之间的区域中的所述栅极延伸，所述场板指与所述栅极部分地重叠，其中，所述场板互连件设置在所述非有源区的所述另一个非有源区中并且将所述场板指和所述源极互连件连接。
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