[发明专利]具有场板的半导体器件

说明书

本发明公开了具有场板的一种场效应晶体管(FET)类型的晶体管。所述场效应晶体管提供有源区和将有源区夹在其间的两个非有源区，其中各电极设置在所述有源区中。所述FET还包括漏极指、漏极总线和源极指、源极总线。漏极指、源极指与漏极总线和源极总线重叠；而漏极总线、源极总线设置在相应的非有源区中。所述场板包括场板指和场板互连件。所述场板指在面向所述漏极的一侧平行于所述栅极延伸。在各个非有源区中的与存在漏极总线的非有源区相对的一个非有源区中，所述场板互连件将所述场板指和所述源极互连件连接。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2017年12月7日的日本专利申请No.2017-235389的优先权的权益，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及半导体器件，具体地，本发明涉及主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件。

背景技术

日本专利申请公开No.JP2008-277604A公开了一种由氮化物半导体材料制成并具有所谓的场板的场效应晶体管。在具有在衬底上外延生长的有源层的场效应晶体管(FET)中，通过例如将离子注入其中以破坏晶体质量，使未对场效应晶体管操作做出贡献的有源层失活。因此，离子注入可以将有源层分成有源区和围绕有源区的非有源区。有源区提供FET的源极、漏极和栅极，而非有源区提供所述源极、漏极和栅极的互连件和焊盘，其中源极焊盘、源极互连件、栅极焊盘和栅极互连件相对于有源区设置在一侧中，而漏极焊盘和漏极互连件被布置在与这一侧相对的另一侧。

主要由氮化物材料制成的FET有时在覆盖栅极的绝缘膜上提供场板，以缓解在栅极的边缘处引起的场强。场板可以抑制漏极电流的暂时减少，该现象刚好在从硬关断状态恢复之后发生并且通常被称为电流崩塌。场板还使栅极与漏极屏蔽，因为场板通常接地或者与接地的源极连接。可以被称为场板互连件的附加互连件可以以将场板与源极物理连接。场板互连件通常围绕栅极以便与栅极相交，这意味着场板互连件更靠近漏极互连件，即在栅极和漏极互连件之间，其中上面列出的现有专利文献已经公开了场板互连件的这种布置。因此，靠近漏极互连件延伸的场板互连件增加了漏极互连件的寄生电容。

发明内容

本发明的一方面涉及场效应晶体管类型的晶体管，其提供漏极、源极和栅极。本发明的晶体管包括半导体叠层、漏极互连件、源极互连件和场板。所述半导体叠层具有有源区和将有源区夹在其间的非有源区，其中有源区中提供漏极、源极和栅极。漏极互连件包括漏极焊盘和漏极指(drain finger)，其中漏极焊盘设置在一个非有源区中，而漏极指实质上平行于栅极延伸并且与漏极重叠。源极互连件包括源极焊盘和源极指(source finger)，其中源极焊盘设置在另一个非有源区中，而源极指实质上平行于栅极延伸并且与源极重叠。场板包括场板指(field plate finger)和场板互连件，其中场板指实质上平行于在栅极和漏极之间的区域中的栅极延伸，并且与栅极部分地重叠，同时场板互连件设置在另一个非有源区中并且将场板指与源极互连件连接。

附图说明

本发明和这些和其他方面可以通过参考以下具体描述连同附图来理解，其中：

图1是示出根据本发明的实施例的晶体管的平面图；

图2A至图2C是图1中示出的晶体管的分别沿着图1中的示出的线IIa-IIa、IIb-IIb和IIc-IIc截取的截面图；

图3是在形成图1中示出的晶体管的处理步骤中晶体管的平面图；

图4A至图4C是在处理步骤中，晶体管分别沿着各自在图3中示出的线IVa-Iva、IVb-IVb和IVc-IVc截取的截面图；

图5是在图3中示出的处理步骤的之后的晶体管的平面图；

图6A至图6C是在处理步骤中，晶体管分别沿着各自在图5中示出的线VIa-VIa、VIb-VIb和VIc-VIc截取的截面图；