[发明专利]带有分段集电极的内部堆叠的NPN在审
| 申请号： | 201811492073.1 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109935629A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | H·L·爱德华兹;A·A·塞尔曼 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L27/02;H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;魏利娜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开带有分段集电极的内部堆叠的NPN。集成电路(100)包括堆叠的NPN(104)，其具有连接到下部NPN(108)的上部NPN(106)。上部NPN(106)包括上部集电极(110)、上部基极(112)和上部发射极(114)。下部NPN(108)包括下部集电极(116)、下部基极(118)和下部发射极(120)。上部集电极(110)包括在下部发射极(120)的相对侧上的集电极段(122)、(124)。集电极段(122)、(124)由集电极分隔器(126)、(132)横向分隔，集电极分隔器(126)、(132)与集电极段(126)、(132)中的定向方向(128)对齐。上部集电极(110)不具有与定向方向(128)交叉的集电极分隔器。 | ||
| 搜索关键词： | 集电极 发射极 分隔器 堆叠 分段 横向分隔 对齐 集成电路 申请 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：包括半导体材料的衬底；以及堆叠的NPN双极晶体管对即堆叠的NPN，包括：第一NPN双极晶体管即第一NPN，其包括第一集电极，所述第一集电极包括在所述衬底中的第一n型半导体材料的集电极段；以及第二NPN双极晶体管即第二NPN，其包括耦合到所述第一NPN的第一发射极的第二集电极，以及包括在所述衬底中的第二n型半导体材料的第二发射极；其中：每个集电极段具有指向所述第二发射极的定向方向；相邻的集电极段由集电极分隔器横向分隔，所述集电极分隔器与所述相邻的集电极段中的所述定向方向对齐，所述集电极分隔器将所述相邻的集电极段彼此电隔离；每个集电极段沿着该集电极段的所述定向方向是连续的；以及所述集电极段位于所述第二发射极的至少两个相对侧上。
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