[发明专利]常关型氧化镓场效应晶体管结构有效
| 申请号： | 201811488059.4 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109659355B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;王元刚;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种常关型氧化镓场效应晶体管结构，属于半导体器件技术领域，自下至上包括衬底层和n型掺杂氧化镓沟道层，所述n型掺杂氧化镓沟道层上设有源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极下方的所述n型掺杂氧化镓沟道层内设有无电子沟道区。本发明提供的常关型氧化镓场效应晶体管结构，无需在栅下制备凹槽，而是通过高温氧化形成无电子沟道区，在无电子沟道区上形成栅极，避免了刻蚀损伤和刻蚀深度不可控的问题，提高了饱和电流和击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 常关型 氧化 场效应 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.常关型氧化镓场效应晶体管结构，其特征在于，自下至上包括衬底层和n型掺杂氧化镓沟道层，所述n型掺杂氧化镓沟道层上设有源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极下方的所述n型掺杂氧化镓沟道层内设有无电子沟道区。
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