[发明专利]SiC锭的制造方法有效
| 申请号： | 201811486783.3 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109957838B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B31/06;G01N23/207 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及SiC锭(I)的制造方法。包括：测定工序，至少沿着通过俯视中央的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向来测定SiC单晶(1)的原子排列面(2)的弯曲方向，求出所述原子排列面(2)的形状；以及晶体生长工序，以所述SiC单晶(1)作为籽晶进行晶体生长，在所述测定工序中测定出的所述原子排列面(2)的形状是所述原子排列面(2)的弯曲方向在所述第一方向和所述第二方向上不同的鞍形的情况下，设定所述晶体生长工序中的晶体生长条件，以使得晶体生长结束时的第二生长面的凸面度比所述籽晶的中心处的晶体生长量为7mm的时间点下的第一生长面的凸面度大。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC锭的制造方法，包括：测定工序，至少沿着通过俯视中央的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向测定SiC单晶的原子排列面的弯曲方向，求出所述原子排列面的形状；以及晶体生长工序，以所述SiC单晶作为籽晶来进行晶体生长，在所述测定工序中测定出的所述原子排列面的形状是所述原子排列面的弯曲方向在所述第一方向和所述第二方向上不同的鞍形的情况下，设定所述晶体生长工序中的晶体生长条件，以使得晶体生长结束时的第二生长面的凸面度比所述籽晶的中心处的晶体生长量为7mm的时间点下的第一生长面的凸面度大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811486783.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
