[发明专利]对准标记、掩膜版及其制备方法在审
| 申请号： | 201811476860.7 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109358475A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 汪际军 | 申请（专利权）人： | 全普光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F1/80;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200000 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对准标记、掩膜版及其制备方法，在每层掩膜版中设置对准标记且对准，实现多层掩膜版层套刻对准；进一步的，在每个掩膜版层中设置了至少连个对准标记，每一层子掩膜版层中的对准标记中，有一个与上相邻层的对准标记相同，有一个与下相邻层的对准标记相同，从而实现多层掩膜版的精确对准，在高集成度小尺寸图形下，提高套刻精度，提高器件质量。 | ||
| 搜索关键词： | 对准标记 掩膜版 对准 相邻层 多层 套刻 制备 小尺寸图形 高集成度 | ||
【主权项】：
1.一种用于多层掩膜版套刻的对准标记，其特征在于，在多层掩膜版层的堆叠设置中，从下往上的每层掩膜版中的对准标记都相对应且对准。
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