[发明专利]高功率模块的制备方法有效
| 申请号： | 201811473657.4 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111276410B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 杨佳明;陈引干;郭昌恕;许联崇;陈宏政 | 申请（专利权）人： | 陈引干 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/48;H01L23/373;H01L23/488;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为;袁颖华 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高功率模块的制备方法，其是以非接触式探针配合电压量测自动回馈方式，将银基奈米浆料涂布在散热基板上，而该银基奈米浆料包含含有作为主银粒子且表面具有机酸保护的奈米银粒子和作为副银粒子的微米银粒子的银基金属粒子；对银基奈米浆料进行加温后将IC芯片放置于该银基奈米浆料上方形成一组合对象；最后利用热压机对该组合对象进行热压接合制程，烧结该银基奈米浆料，以形成该IC芯片与该散热基板的热接口材料层。藉此，所得热接口材料在完成热处理后仅含少量有机物，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物产生，且高温下相当稳定，不会产生任何介金属化合物，从而不会有因制程(环境)温度而脆化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 模块 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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