[发明专利]将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法有效
| 申请号： | 201811473218.3 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109585615B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述方法包括：通过MOCVD或MBE沉积方式在图案化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；将面积等于或大于所述氮化镓外延层的面积的支撑片通粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面并进行固化处理；通过向所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面施加应力而使得所述氮化镓外延层和支撑片整体从图案化蓝宝石衬底上剥离；以及通过对所述氮化镓外延层和所述支撑片之间的界面的所述粘合剂加热，使得粘合剂融化而使得所述氮化镓外延层与所述支撑片分离。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 外延 衬底 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述方法包括：通过MOCVD或MBE沉积方式在图案化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；将面积等于或大于所述氮化镓外延层的面积的支撑片通粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面并进行固化处理；通过向所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面施加应力而使得所述氮化镓外延层和支撑片整体从图案化蓝宝石衬底上剥离；以及通过对所述氮化镓外延层和所述支撑片之间的界面的所述粘合剂加热，使得粘合剂融化而使得所述氮化镓外延层与所述支撑片分离。
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