[发明专利]调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法有效
| 申请号： | 201811467732.6 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109599410B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王军喜;冯梁森;张宁;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/24;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法，其包括：外延片(10)；n型结构层(20)，位于所述外延片(10)上；三基色有源区(30)，位于所述n型结构层(20)上，为阵列排布的纳米柱，所述纳米柱之间填充绝缘物质；透明导电层(40)，位于所述三基色有源区(30)上；p电极(50)，位于所述透明导电层(40)上；以及n电极(60)，位于未被所述三基色有源区(30)覆盖的n型结构层(20)表面，阵列排布的纳米柱结构有利于载流子高效快速的复合，使光源具有更高的光效，减小了减少载流子复合寿命，提高了调制带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 带宽 增强 可见 光通信 光源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种调制带宽增强的可见光通信光源，包括：外延片(10)；n型结构层(20)，位于所述外延片(10)上；三基色有源区(30)，位于所述n型结构层(20)上，为阵列排布的纳米柱，所述纳米柱之间填充绝缘物质；透明导电层(40)，位于所述三基色有源区(30)上；p电极(50)，位于所述透明导电层(40)上；以及n电极(60)，位于未被所述三基色有源区(30)覆盖的n型结构层(20)表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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