[发明专利]第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法在审
| 申请号： | 201811466906.7 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN109980057A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 藤田武彦;渡边康弘 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法。具体而言，本发明提供具有比以往优异的元件寿命的第III族氮化物半导体发光元件和其制造方法。本发明的第III族氮化物半导体发光元件(100)的特征在于，依次具有n型半导体层(30)、至少包含Al的发光层(40)、电子阻挡层(50)和p型半导体层(60)，发光层(40)具备具有阱层(41)和势垒层(42)的量子阱结构，电子阻挡层(50)与发光层(40)相邻、且由Al组成大于势垒层(42)和p型半导体层(60)的层形成，电子阻挡层(51)包含含Si杂质掺杂区域层(51a)。 | ||
| 搜索关键词： | 第III族氮化物半导体 发光元件 电子阻挡层 发光层 势垒层 制造 杂质掺杂区域 量子阱结构 元件寿命 阱层 | ||
【主权项】：
1.一种第III族氮化物半导体发光元件，其依次具有n型半导体层、至少包含Al的发光层、电子阻挡层和p型半导体层，其特征在于，所述发光层具备基于阱层与势垒层的层叠的量子阱结构，所述电子阻挡层与所述发光层相邻，且由Al组成大于所述势垒层和所述p型半导体层的层形成，所述电子阻挡层包含含Si杂质掺杂区域层，使所述含Si杂质掺杂区域层的掺杂剂为Si和Mg，所述电子阻挡层在比所述含Si杂质掺杂区域层更靠近所述发光层侧还包含p型杂质掺杂区域层，所述含Si杂质掺杂区域层中所含的Si的杂质浓度为1×1018atoms/cm3～2×1019atoms/cm3。
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