[发明专利]高压芯片的深沟刻蚀方法以及高压芯片在审
| 申请号： | 201811463798.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109638119A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李玉珠;陈慧秋;武杰;易翰翔;郝锐;张洪安 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;郝传鑫 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及LED芯片的技术领域，公开了一种高压芯片的深沟刻蚀方法以及高压芯片，刻蚀时，在需要铺设金属连接层的区域刻蚀出平缓的角度，小角度的刻蚀槽能提高芯片的可靠性，而在不需要用金属连接层连接的区域可采用大角度刻蚀，能减少对外延发光层的刻蚀，从而增大发光层面积，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 高压芯片 金属连接层 发光层 深沟 发光效率 刻蚀槽 铺设 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种高压芯片的深沟刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一衬底层，所述衬底层上形成外延发光层，所述外延发光层包括自下而上的N型层、量子阱层以及P型层；S2：通过光刻结合蚀刻工艺在外延发光层上刻蚀出沟槽，沟槽将外延发光层隔离出至少两个以上的独立芯片单元；S3：在沟槽的第一侧壁上刻蚀出由N型层延伸至衬底层的第一刻蚀槽，保证第一刻蚀槽与衬底层的夹角A1小于第一侧壁与衬底层的夹角B1；S4：在沟槽的第二侧壁上刻蚀出由P型层延伸至衬底层的第二刻蚀槽，保证第二刻蚀槽与衬底层的夹角A2小于第二侧壁与衬底层的夹角B2；S5：在第一刻蚀槽、沟槽底壁以及第二刻蚀槽中镀有第一绝缘层；S6：将相邻两个芯片单元的N型层和P型层采用金属连接层串联，且金属连接层设于第一绝缘层上。
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