[发明专利]高压芯片的深沟刻蚀方法以及高压芯片

权利要求书

1.一种高压芯片的深沟刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一衬底层，所述衬底层上形成外延发光层，所述外延发光层包括自下而上的N型层、量子阱层以及P型层；

S2：通过光刻结合蚀刻工艺在外延发光层上刻蚀出沟槽，沟槽将外延发光层隔离出至少两个以上的独立芯片单元；

S3：在沟槽的第一侧壁上刻蚀出由N型层延伸至衬底层的第一刻蚀槽，保证第一刻蚀槽与衬底层的夹角A1小于第一侧壁与衬底层的夹角B1；

S4：在沟槽的第二侧壁上刻蚀出由P型层延伸至衬底层的第二刻蚀槽，保证第二刻蚀槽与衬底层的夹角A2小于第二侧壁与衬底层的夹角B2；

S5：在第一刻蚀槽、沟槽底壁以及第二刻蚀槽中镀有第一绝缘层；

S6：将相邻两个芯片单元的N型层和P型层采用金属连接层串联，且金属连接层设于第一绝缘层上。

2.如权利要求1所述的高压芯片的深沟刻蚀方法，其特征在于，在上述步骤S3中，在与第一侧壁对应的芯片单元的上端面刻蚀出连接槽，所述连接槽底部延伸至N型层，所述连接槽的侧部与所述第一刻蚀槽连接，金属连接层连接在连接槽中的N型层上。

3.如权利要求1所述的高压芯片的深沟刻蚀方法，其特征在于，在上述步骤S4中，保证第一绝缘层铺设的均匀性，以使得第一绝缘层能完全覆盖住金属连接层的下表面。

4.如权利要求1所述的高压芯片的深沟刻蚀方法，其特征在于，在上述步骤S2中，通过光刻结合蚀刻工艺在外延发光层上刻蚀出多条平行的沟槽，沟槽将外延发光层隔离出两个以上的独立芯片单元。

5.如权利要求1所述的高压芯片的深沟刻蚀方法，其特征在于，A1＝A2。

6.一种采用权利要求1～5任一项所述的深沟刻蚀方法刻蚀的高压芯片，其特征在于，包括衬底层、间隔设置在所述衬底层上的多个芯片单元以及覆设在所述芯片单元上的第二绝缘层；

相邻两个芯片单元的其中一个芯片单元的N型层与N极串联，另一个芯片单元的P型层与P极串联，相邻两个芯片单元的N型层与P型层通过金属连接层串联连接。