[发明专利]高压芯片的深沟刻蚀方法以及高压芯片

说明书

本发明涉及LED芯片的技术领域，公开了一种高压芯片的深沟刻蚀方法以及高压芯片，刻蚀时，在需要铺设金属连接层的区域刻蚀出平缓的角度，小角度的刻蚀槽能提高芯片的可靠性，而在不需要用金属连接层连接的区域可采用大角度刻蚀，能减少对外延发光层的刻蚀，从而增大发光层面积，提高发光效率。

技术领域

本发明涉及LED芯片的技术领域，特别是涉及一种高压芯片的深沟刻蚀方法以及高压芯片。

背景技术

近年来，发光二极管(LED)成为最受重视的光源技术，其中LED芯片技术成为热点之一。LED产品具有低电压、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等特点，具有极佳的发展前景。

高压芯片需要断开每一颗芯片进行串联，因此在需串联的芯片之间做一个深沟刻蚀以及后续用第一绝缘层进行隔绝，串联芯片之间的金属连接层就搭在深沟刻蚀的第一绝缘层之上，为了提高高压芯片的可靠性，保证金属连接层的连接以及第一绝缘层的均匀覆盖，就要求深沟刻蚀的角度做得小且平坦，现有的LED高压芯片深沟刻蚀时芯片四个侧面的角度倾斜一致(如图1和图2所示)，即在未连接金属连接层的芯片侧壁上也进行了深沟刻蚀，进而使得将能够进行发光的外延发光层，一般为量子阱层(MQW)刻蚀掉，使得芯片的发光层积大大减少。

发明内容

本发明的目的是提供一种高压芯片的深沟刻蚀方法以及高压芯片，有利于增大发光层面积，提高发光效率。

为了解决上述问题，本发明提供一种高压芯片的深沟刻蚀方法，包括如下步骤：

S1：提供一衬底层，所述衬底层上形成外延发光层，所述外延发光层包括自下而上的N型层、量子阱层以及P型层；

S2：通过光刻结合蚀刻工艺在外延发光层上刻蚀出沟槽，沟槽将外延发光层隔离出至少两个以上的独立芯片单元；

S3：在沟槽的第一侧壁上刻蚀出由N型层延伸至衬底层的第一刻蚀槽，保证第一刻蚀槽与衬底层的夹角A1小于第一侧壁与衬底层的夹角B1；

S4：在沟槽的第二侧壁上刻蚀出由P型层延伸至衬底层的第二刻蚀槽，保证第二刻蚀槽与衬底层的夹角A2小于第二侧壁与衬底层的夹角B2；

S5：在第一刻蚀槽、沟槽底壁以及第二刻蚀槽中镀有第一绝缘层；

S6：将相邻两个芯片单元的N型层和P型层采用金属连接层串联，且金属连接层设于第一绝缘层上。

进一步优选地，在上述步骤S3中，在与第一侧壁对应的芯片单元的上端面刻蚀出连接槽，所述连接槽底部延伸至N型层，所述连接槽的侧部与所述第一刻蚀槽连接，金属连接层连接在连接槽中的N型层上。

进一步优选地，在上述步骤S4中，保证第一绝缘层铺设的均匀性，以使得第一绝缘层能完全覆盖住金属连接层的下表面。

进一步优选地，在上述步骤S2中，通过光刻结合蚀刻工艺在外延发光层上刻蚀出多条平行的沟槽，沟槽将外延发光层隔离出两个以上的独立芯片单元。

进一步优选地，A1＝A2。

为了解决相同的问题，本发明还提供一种高压芯片，采用上述高压芯片的深沟刻蚀方法刻蚀而成，包括衬底层、间隔设置在所述衬底层上的多个芯片单元以及覆设在所述芯片单元上的第二绝缘层；

相邻两个芯片单元的其中一个芯片单元的N型层与N极串联，另一个芯片单元的P型层与P极串联，相邻两个芯片单元的N型层与P型层通过金属连接层串联连接。