[发明专利]一种太阳能电池片的生产工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种太阳能电池片的生产工艺，其生产工艺包括以下步骤：（1）、硅片清洗制绒；（2）预检及重新制绒；（3）、扩散制结；4）、刻边；（5）、利用PECVD设备制成减少硅片表面反射的SiN薄膜；（6）、网丝印刷烘干烧结；（7）、烧结后预检及处理；（8）、终检。本发明的一种太阳能电池片的生产工艺，其生产过程中对不合格半成品进行二次加工回炉处理，再次将不合格的半成品投入生产中来，该工艺降低了太阳能电池片的生产成本。

主权项

1.一种太阳能电池片的生产工艺，其特征是，其生产工艺包括以下步骤：（1）、硅片清洗制绒：通过HCL消除硅片表面有机物和金属杂质，去除硅片表面的切割损坏层，利用NaOH溶液对硅片进行制备绒面；（2）预检及重新制绒：对制绒好的硅片进行检查，将不合格的硅片挑出后重新制绒。（3）、扩散制结：将制绒处理过的硅片放入扩散设备中进行扩散制结处理，POCL3液态分子在N2载气的携带下进入炉管，在大于600°的高温下分解，并扩散进入硅片表面，激活形成N型掺杂，与P型衬底形成PN结；POCl3在大于600度的高温下分解生成五氯化磷和五氧化二磷，生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子， POCl3热分解时， PCl5进一步分解成P2O5并放出氯气，生成的P2O5进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，在硅片表面形成一层磷‑硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。（4）、刻边：将经过扩散制结处理的硅片采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子与硅进行反应，形成挥发性生成物四氟化硅而被去除，去除扩散后硅片周边形成的短路环，去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃；（5）、利用PECVD设备制成减少硅片表面反射的SiN薄膜；（6）、网丝印刷烘干烧结：在硅片正电极表面印刷Ag金属浆料，在硅片背面印刷Al金属浆料，将硅片正电极表面印刷的Ag金属浆料和在硅片背面印刷的Al金属浆料进行烘干，将印刷好的硅片放入烧结设备中进行烧结处理。（7）、烧结后预检及处理：对烧结的硅片进行检查，将不合格的硅片挑出处理硅片表面后重新烧结；将烧结不合格的硅片放入氢氧化钠溶液中除去烧结不合格的硅片上的铝层得到去铝烧结不合格的硅片 ；去铝烧结不合格的硅片经过清洗后，浸泡在硝酸溶液中将去铝烧结不合格的硅片表面的银分解掉，得到去银烧结不合格的硅片，进而得到烧结前的待烧结硅片；（8）、终检：用自动分选机将电池转化率分级、检验并包装。