[发明专利]一种半导体器件光化学刻蚀方法及装置在审
| 申请号： | 201811459406.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261506A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 尹鹏 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 齐胜杰 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件光化学刻蚀方法，包括：S1、在具有掩膜层的半导体结构的待刻蚀表面进行化学刻蚀第一预设时间段，得到预刻蚀的半导体结构；S2、使用光照使预刻蚀的半导体结构的待刻蚀区域产生电场，以对所述待刻蚀区域进行深刻蚀，得到预设深宽比的半导体器件。上述方法通过在深刻蚀前在半导体结构预刻蚀，获得预刻蚀的腐蚀坑后，辅以光照，利用光生载流子的捕获，及光生载流子的分布来控制刻蚀的方向性和提高刻蚀精度，改善了湿法化学刻蚀方向性，可获得较大深宽比的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 光化学 刻蚀 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
