[发明专利]一种面光源芯片及其发光二极管在审
| 申请号： | 201811458791.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109545936A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨勇 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种面光源芯片及其发光二极管。面光源芯片包括蓝宝石基板、蓝宝石基板下方的N型GaN缓冲层以及在N型GaN缓冲层下方形成的芯片正极区和芯片负极区，其特征在于，所述芯片正极区从上到下依次包括N型GaN层、MQW发光层、ODR层及芯片正极，所述芯片负极区包括芯片负极。发光二极管包括上述面光源芯片。本发明通过在面光源芯片上采用全角度反射膜层ODR替代布拉格反射膜层DBR，使芯片在出光角度范围内光强分布更加均匀，从整体上提升面光源整面混光均匀性，从而保证面光源在大pitch芯片排布时较好的混光效果和较高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 面光源 芯片 发光二极管 芯片负极 芯片正极 蓝宝石基板 缓冲层 布拉格反射 混光均匀性 从上到下 发光效率 反射膜层 光强分布 混光效果 芯片排布 提升面 膜层 光源 替代 保证 | ||
【主权项】：
1.一种面光源芯片，包括蓝宝石基板、蓝宝石基板下方的N型GaN缓冲层以及在N型GaN缓冲层下方形成的芯片正极区和芯片负极区，其特征在于，所述芯片正极区从上到下依次包括N型GaN层、MQW发光层、ODR层及芯片正极，所述芯片负极区包括芯片负极。
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