[发明专利]电容器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811458585.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261775A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容器及其制作方法，在下电极上形成电容介质层，所述电容介质层包括氧化铝层，所述氧化铝层中具有碳和氢杂质，然后对所述电容介质层进行退火处理，以减少所述氧化铝中所述碳和所述氢杂质的含量最后在所述电容介质层上形成上电极。本发明通过对电容介质层进行退火处理，减少氧化铝层中碳和氢的含量，消除缺陷使氧化铝层更致密，氧化铝的原子计量比接近理论:1：1.5，进而提升电容介质层的介电常数和击穿场强。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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