[发明专利]电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器的制作方法，其特征在于，包括：

形成下电极；

在所述下电极上形成电容介质层，所述电容介质层包括氧化铝层，所述氧化铝层中具有碳和氢杂质；

对所述电容介质层进行退火处理，以减少所述氧化铝中所述碳和氢杂质的含量；

在所述电容介质层上形成上电极。

2.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述退火在NH₃或N₂气体气氛中进行，以使NH₃和N₂中的氮元素键合至所述电容介质层的表面上。

3.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述退火温度为360℃～450℃，退火时间为5～30min。

4.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，在真空腔或管式炉中进行退火处理。

5.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述电容介质层还包括氧化锆层，并采用原子层沉积法形成所述氧化锆层和所述氧化铝层。

6.根据权利要求5所述的电容器的制造方法，其特征在于，在250℃～350℃的温度下，0.1torr～2torr的压力下沉积所述氧化锆层和所述氧化铝层。

7.根据权利要求5所述的电容器的制造方法，其特征在于，通过重复单元沉积循环来实施氧化锆层的原子层沉积过程，直到所述氧化锆层具有的厚度，所述单元沉积循环包括引入锆源、引入第一清洗气体、引入反应气体及引入第二清洗气体。

8.根据权利要求7所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述锆源选自ZrC1₄、Zr(N(CH₃)C₂H₅)₄、Zr(O-tBu)₄、Zr(N(CH₃)₂)₄、Zr(N(C₂H₅)(CH₃))₄、Zr(N(C₂H₅)₂)₄、Zr(TMHD)₄、Zr(OiC₃H₇)₃(TMTD)或Zr(OrBu)₄。

9.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，其特征在于，通过重复单元沉积循环来实施氧化铝层的原子层沉积过程，直到所述氧化铝层具有的厚度，所述单元沉积循环包括依次引入铝源、引入第一清洗气体、引入反应气体及引入第二清洗气体。

10.根据权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述铝源选自A1(CH₃)₃、A1(C₂H₅)₃或含A1的有机金属化合物。

11.根据权利要求7或9所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述反应气体包括选自臭氧(O₃)、氧(O₂)等离子体和水(H₂O)中的一种。

12.根据权利要求11所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述反应气体的流量为0.ls1m-1s1m，所述第一清洗气体和所述第二清洗气体为N₂或Ar。

13.一种电容器，其特征在于，包括：

下电极、位于所述下电极上的电容介质层以及位于所述电容介质层上的上电极；所述电容介质层包括氧化锆层和氧化铝层。