[发明专利]一种石墨烯/AlGaAs/GaAs/GaInAs多异质结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811454930.9 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109728119B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 林时胜;姚天易 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0725;H01L31/18
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种石墨烯/AlxGa1‑xAs/GaAs/GayIn1‑yAs多异质结太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池自下而上依次为:背面电极、PET衬底、石墨烯/GayIn1‑yAs、石墨烯/GaAs、石墨烯/AlxGa1‑xAs、正面电极。本发明利用石墨烯/GayIn1‑yAs、石墨烯/GaAs、石墨烯/AlxGa1‑xAs的帯隙不同,可针对不同频率的太阳光分别吸收,显著提高太阳能电池的光电转换效率;且制备时不需要考虑晶格匹配问题,解除了多结太阳能电池选材的限制,多结太阳能电池中的各个异质结可以“搭积木”一样累叠在一起,实现异质结与异质结之间的自由叠加;此外,异质结的加入可以形成更高的开路电压。本发明的多异质结太阳能电池具有转化效率高、工艺简单、便于推广的特点。
搜索关键词: 一种 石墨 algaas gaas gainas 多异质结 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种石墨烯/AlxGa1‑xAs/GaAs/GayIn1‑yAs多异质结太阳能电池,其特征在于,自下而上依次有背面电极(1)、PET衬底(2)、石墨烯/GayIn1‑yAs层(3)、石墨烯/GaAs层(4)、石墨烯/AlxGa1‑xAs层(5)和正面电极(6)。
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