[发明专利]一种SiC JBS器件的布局方法在审
| 申请号： | 201811453239.9 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261724A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨霏;张文婷;田丽欣;夏经华;吴沛飞 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/02;H01L21/329;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiC JBS器件的布局方法，包括：在碳化硅衬底的晶面上生长外延层，并在所述外延层上划分矩形结构的有源区；在所述有源区周边布置终端保护区，在所述有源区内布置多个P型区，且所述多个P型区呈多行多列交错排列，将离子注入每个P型区，在各P型区之间布置肖特基接触区；在碳化硅衬底背面淀积欧姆接触金属层生成SiC JBS器件。本发明在SiC JBS器件中布局了多个P型区呈多行多列交错排列，保证了SiC JBS器件的反向击穿特性的同时增加了肖特基势垒区域面积，提高了导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic jbs 器件 布局 方法 | ||
【主权项】：
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