[发明专利]一种电容式压力传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811445583.3 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN109341905A 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 缪建民;姚运强 申请(专利权)人: 华景传感科技(无锡)有限公司
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 214135 江苏省无锡市新吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明实施例公开了一种电容式压力传感器及其制备方法。该电容式压力传感器包括:单晶硅衬底,所述单晶硅衬底包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域;所述第一区域设置有绝缘层和单晶硅层,所述绝缘层设置于所述单晶硅层邻近所述单晶硅衬底的一侧;所述单晶硅层表面设置有多个通孔,所述绝缘层与所述多个通孔对应的区域形成有贯穿所述绝缘层的凹槽,使所述单晶硅层、所述单晶硅衬底和所述绝缘层之间形成空腔;所述通孔内填充有金属层;所述单晶硅层远离所述绝缘层的表面设置有第一金属电极;所述单晶硅衬底的所述第二区域设置有第二金属电极。本发明实施例的方案提高了压力检测精度。
搜索关键词: 绝缘层 单晶硅 衬底 单晶硅层 电容式压力传感器 第一区域 通孔 第二区域 金属电极 制备 单晶硅层表面 表面设置 区域形成 压力检测 金属层 空腔 填充 邻近 贯穿
【主权项】:
1.一种电容式压力传感器,其特征在于,包括:单晶硅衬底,所述单晶硅衬底包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域;所述第一区域设置有绝缘层和单晶硅层,所述绝缘层设置于所述单晶硅层邻近所述单晶硅衬底的一侧;所述单晶硅层表面设置有多个通孔,所述绝缘层与所述多个通孔对应的区域形成有贯穿所述绝缘层的凹槽,使所述单晶硅层、所述单晶硅衬底和所述绝缘层之间形成空腔;所述通孔内填充有金属层;所述单晶硅层远离所述绝缘层的表面设置有第一金属电极;所述单晶硅衬底的所述第二区域设置有第二金属电极。
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