[发明专利]一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201811437850.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109518140A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 温艳玲;惠知;张学智 | 申请（专利权）人： | 河北冠靶科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22B21/06;C22F1/04 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 韩国强 |
| 地址： | 052360 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明属于材料加工技术领域，具体涉及一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法。本发明的制备方法，采用真空熔铸和锻轧结合，在真空感应熔炼炉内对纯度在99.9999％以上的高纯铝锭进行重熔成型，在室温下以冷轧和热处理的方法，制备出半导体芯片用超高纯、等轴细晶铝溅射靶材。所述的制备方法通过对高纯铝锭进行重熔进一步降低高纯铝锭的晶粒尺寸至1mm以下，大大简化后期塑性变形工艺，提高成材效率，降低生产成本，最终得到的超高纯、等轴细晶铝靶材其晶粒大小均一，且保持在100μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 等轴细晶 超高纯 高纯铝锭 铝靶材 晶粒 重熔 真空感应熔炼炉 材料加工技术 塑性变形工艺 半导体芯片 热处理 铝溅射靶 真空熔铸 均一 冷轧 成型 | ||
【主权项】：
1.一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)重熔：将高纯铝锭置于真空炉内重熔，完全熔化后得到高纯铝液；(2)重铸：将所述高纯铝液浇注于锭模中进行重铸，在冷却过程中对所述高纯铝液进行电磁搅拌，重铸后得到新铸高纯铝锭；(3)退火处理：将所述新铸高纯铝锭在200‑400℃保温后，随室温冷却；(4)锻压：将退火处理后的所述新铸高纯铝锭进行锻压处理；(5)轧制：将锻压处理后的所述新铸高纯铝锭进行轧制处理；(6)将轧制处理后的所述新铸高纯铝锭进行保温冷却处理，制得晶粒尺寸小于100μm的等轴晶超高纯铝。
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