[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，即使是非晶体等晶片，也能够不产生弯曲行进地进行分割。一种晶片的加工方法，沿着多条分割预定线对晶片(W)进行分割，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而沿着分割预定线形成分割起点用改质层(65a～65c)；以及对晶片赋予外力而以分割起点用改质层为起点将晶片沿着分割预定线分割。构成为当在晶片的背面(61)侧形成分割起点用改质层(65c)时，在分割起点用改质层的形成之前，按照第一输出以下的输出照射激光束而在背面附近形成作为改质层的对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层(66)之后，在与裂纹引导层同等的位置形成分割起点用改质层。

主权项

1.一种晶片的加工方法，对设定有交叉的多条分割预定线的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部，从晶片的一个面按照第一输出对与该分割预定线相对应的区域照射激光束，从而在晶片的内部形成分割起点用改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片赋予外力而以该分割起点用改质层为起点将晶片沿着该分割预定线进行分割，该改质层形成步骤包含如下的子步骤：第一子步骤，在该分割起点用改质层的形成之前，按照该第一输出以下的输出照射激光束，在晶片的该一个面附近内部形成对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层；以及第二子步骤，在实施了该第一子步骤之后，将聚光点定位于与该裂纹引导层同等的位置或比该裂纹引导层靠与该一个面相反的另一个面侧的位置，按照该第一输出照射激光束，从而形成该分割起点用改质层，并且形成从该分割起点用改质层连通到该一个面的裂纹。