[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，即使是非晶体等晶片，也能够不产生弯曲行进地进行分割。一种晶片的加工方法，沿着多条分割预定线对晶片(W)进行分割，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而沿着分割预定线形成分割起点用改质层(65a～65c)；以及对晶片赋予外力而以分割起点用改质层为起点将晶片沿着分割预定线分割。构成为当在晶片的背面(61)侧形成分割起点用改质层(65c)时，在分割起点用改质层的形成之前，按照第一输出以下的输出照射激光束而在背面附近形成作为改质层的对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层(66)之后，在与裂纹引导层同等的位置形成分割起点用改质层。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将晶片分割成各个芯片。

背景技术

作为晶片的加工方法，提出了如下的方法：照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层，然后对晶片赋予外力而以改质层为起点将晶片分割成各个芯片(例如，参照专利文献1)。在专利文献1记载的加工方法中，沿着晶片的分割预定线形成改质层并且使裂纹在厚度方向上延伸，从而使裂纹在晶片的正面或背面上露出。并且，在裂纹侧的延伸侧对晶片进行按压，从而晶片被顺利地分割。

专利文献1：日本特许第4402708号公报

但是，特别是在晶片为玻璃等非晶体的情况下，有时裂纹并不是从改质层朝向晶片的正面或背面呈直线状延伸，在晶片的正面或背面侧露出的裂纹是弯曲行进的。因此，存在无法精度良好地对晶片进行分割的问题。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，即使是非晶体等的晶片，也能够不产生弯曲行进地将该晶片分割成芯片。

根据本发明，提供晶片的加工方法，对设定有交叉的多条分割预定线的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部，从晶片的一个面按照第一输出对与该分割预定线相对应的区域照射激光束，从而在晶片的内部形成分割起点用改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片赋予外力而以该分割起点用改质层为起点将晶片沿着该分割预定线进行分割，该改质层形成步骤包含如下的子步骤：第一子步骤，在该分割起点用改质层的形成之前，按照该第一输出以下的输出照射激光束，在晶片的该一个面附近内部形成对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层；以及第二子步骤，在实施了该第一子步骤之后，将聚光点定位于与该裂纹引导层同等的位置或比该裂纹引导层靠与该一个面相反的另一个面侧的位置，按照该第一输出照射激光束，从而形成该分割起点用改质层，并且形成从该分割起点用改质层连通到该一个面的裂纹。

根据该结构，当在晶片的一个面附近形成了裂纹引导层之后，在与裂纹引导层同等的位置或比裂纹引导层靠另一个面侧的位置形成分割起点用改质层。当裂纹从分割起点用改质层延伸到晶片的一个面侧时，通过裂纹引导层的引导，可抑制裂纹的弯曲行进。由此，能够沿着分割预定线形成裂纹，即使是如非晶体等那样晶体取向无规则的晶片，也能够良好地进行分割。

根据本发明，在分割起点用改质层的形成前，在晶片的一个面附近内部形成裂纹引导层，从而即使是非晶体等晶片，也能够不产生弯曲行进地进行分割。

附图说明

图1是本实施方式的激光加工装置的立体图。

图2的(A)～(C)是比较例的激光加工的说明图。

图3的(A)～(D)是本实施方式的晶片的加工方法的说明图。

图4的(A)、(B)是示出实验例的晶片的背面的裂纹的图。

标号说明

61：晶片的背面(一个面)；62：晶片的正面(另一个面)；65：分割起点用改质层；66：裂纹引导层；68：裂纹；W：晶片。

具体实施方式