[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，对设定有交叉的多条分割预定线的晶片进行加工，其中，

该晶片的加工方法具有如下的步骤：

改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部，从晶片的一个面按照第一输出对与该分割预定线相对应的区域照射激光束，从而在晶片的内部形成分割起点用改质层；以及

分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片赋予外力而以该分割起点用改质层为起点将晶片沿着该分割预定线进行分割，

该改质层形成步骤包含如下的子步骤：

第一子步骤，在该分割起点用改质层的形成之前，按照比该第一输出小的第二输出照射激光束，在晶片的该一个面附近内部形成对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层，所述第二输出是不产生裂纹的程度的低输出或者使裂纹不到达晶片的该一个面的程度的低输出；以及

第二子步骤，在实施了该第一子步骤之后，将聚光点定位于与该裂纹引导层同等的位置或比该裂纹引导层靠与该一个面相反的另一个面侧的位置，按照该第一输出照射激光束，从而形成该分割起点用改质层，并且在形成该分割起点用改质层的过程中形成从该分割起点用改质层沿着裂纹引导层延伸而连通到该一个面的裂纹。