[发明专利]一种适合超薄硅片的清洗方法在审
| 申请号： | 201811424784.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109604244A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡健华;贺贤汉;许伟伟 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾兰芳 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域。一种适合超薄硅片的清洗方法，包括如下步骤，步骤一，利用去离子水清洗硅片的表面；步骤二，利用SC‑1清洗溶液清洗硅片的表面；步骤三，利用去离子水清洗硅片的表面；步骤四，利用HF、HCL、H2O的混合溶液清洗硅片的表面；步骤五，利用去离子水清洗硅片的表面，去离子水的温度为75℃‑80℃，硅片从清洗槽中到完全离开水面的时间为70‑90s。本专利通过优化步骤五中的水温以及硅片出水时间，有效的解决了现有硅片片盒出现的粘片的现象，降低了碎片率，且不需要更换现有的硅片盒，并没有在解决硅片粘片问题的情况下产生其他不良，如硅片烘不干、碎片率多以及影响生产制程等。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 去离子水 超薄硅片 碎片率 粘片 半导体加工技术 混合溶液 清洗溶液 影响生产 硅片盒 清洗槽 出水 片盒 制程 水面 优化 | ||
【主权项】：
1.一种适合超薄硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤一，利用去离子水清洗硅片的表面；步骤二，利用SC‑1清洗溶液清洗硅片的表面；步骤三，利用去离子水清洗硅片的表面；步骤四，利用HF、HCL、H2O的混合溶液清洗硅片的表面；步骤五，利用去离子水清洗硅片的表面，去离子水的温度为75℃‑80℃，硅片出水过程中从清洗槽中到完全离开水面的时间为70‑90s。
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