[发明专利]采用畴反转区的声表面波谐振结构滤波器在审
| 申请号： | 201811422064.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109309485A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李勇;卢凯;储顺杰;许志斌;陈培杕;施旭霞 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64;H03H9/72 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 伍华荣 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于通信领域，具体涉及一种谐振结构滤波器。本发明中的一种声表面波谐振结构滤波器，包括：铁电晶片，晶片表面制作的多个谐振器单元和电连接金属电极结构等，谐振器单元由周期金属电极和汇流导电金属电极构成，所述铁电晶片是采用铁电单晶体加工制作的晶圆；所述铁电晶片表面，其上制作了至少一个畴反转区；至少有一个谐振器单元制作在畴反转区上；制作非接地谐振器单元的畴反转区与其他畴反转区是隔离的；电连接金属电极结构不制作在畴反转区上。该方案减少了声表面波传播时向晶片衬底散射的能量损耗，并且降低了滤波器匹配电容制造的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 畴反转 谐振器单元 制作 铁电晶片 滤波器 声表面波谐振 电连接金属 结构滤波器 电极结构 导电金属电极 铁电单晶体 工艺难度 晶片表面 能量损耗 匹配电容 声表面波 通信领域 谐振结构 周期金属 汇流 非接地 电极 散射 衬底 晶片 晶圆 隔离 传播 加工 制造 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波谐振结构滤波器，包括：铁电晶片衬底、制作在铁电晶片衬底表面上的多个谐振器单元和电连接金属电极结构，谐振器单元由周期金属电极和汇流导电金属电极构成，其特征是：所述铁电晶片衬底是采用铁电单晶体加工制作的晶圆；所述铁电晶片衬底表面上制作至少一个畴反转区；至少有一个谐振器单元制作在畴反转区上；制作有谐振器单元的畴反转区与其他畴反转区是隔离的；电连接金属电极结构不制作在畴反转区上。
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