[发明专利]一种纳米线阵列器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米线阵列器件的制备方法，该方法通过在生长纳米线的衬底上制备AlxGa1‑xAs薄膜作为牺牲层，纳米线生长在AlxGa1‑xAs上，用溶于丙酮溶液中的PMMA材料旋涂在纳米线样品表面完成PMMA对纳米线的固定。将被PMMA固定的纳米线样品放入HF酸腐蚀液中，利用HF酸对AlxGa1‑xAs具有腐蚀作用，而HF酸对GaAs或InAs、PMMA没有腐蚀作用，从而使衬底表面的AlxGa1‑xAs被腐蚀掉，GaAs纳米线及PMMA材料不与HF酸反应被完整的保留而得到可迁移的GaAs或InAs纳米线阵列。随后，在可迁移的纳米线阵列材料上表面制备p型金属电极，下表面制备n型金属电极，完成电极制备后将样品放进丙酮或甲苯溶液中浸泡除去PMMA并清洗干净后自然风干，获得GaAs或InAs纳米线阵列器件，解决现有技术中获得纳米阵列器件存在工艺困难的难题。

主权项

1.一种纳米线阵列器件的制备方法，包括：n型Si掺杂GaAs衬底，30nm～50nm厚度的AlxGa1‑xAs薄膜牺牲层材料，直立的GaAs或InAs纳米线阵列材料，用于固定直立的GaAs或InAs纳米线阵列材料的PMMA材料，纳米线阵列材料上表面的Ti/Au合金金属电极，纳米线阵列材料下表面的Ni/Au合金金属电极，其特征在于：这种制备纳米线阵列器件的方法最重要的步骤是获得可迁移的纳米线阵列材料，所述这种可迁移纳米线阵列材料的实现方法具体步骤为：在生长纳米线的衬底表面制备30nm～50nm厚度的AlxGa1‑xAs薄膜，AlxGa1‑xAs中Al的组分为0.6≤x≤1，将纳米线生长在AlxGa1‑xAs薄膜上，将溶有PMMA材料的丙酮溶液旋涂在制备好的纳米线阵列材料样品表面，等待PMMA材料固化后获得被PMMA固定的纳米线阵列样品，然后，将所述被PMMA固定的纳米线样品放入HF酸腐蚀液中，利用HF酸溶液能够将AlxGa1‑xAs腐蚀而被去除，HF酸溶液不腐蚀GaAs纳米线或InAs纳米线材料及PMMA，不被HF酸溶液腐蚀的材料被完整的保留，获得被PMMA固定的可迁移纳米线阵列材料，采用磁控溅射技术在所述的可迁移纳米线阵列材料上表面制备p型Ti/Au合金金属电极，在所述的可迁移纳米线阵列材料下表面制备n型Ni/Au合金金属电极，最后将制备好p型、n型电极的样品放入丙酮或甲苯溶液中浸泡30分钟～60分钟，待PMMA材料溶解后用无水乙醇、去离子水依次清洗获得洁净的样品，将样品自然风干，实现本发明提出的这种纳米线阵列器件的制备。