[发明专利]碳化硅器件终端结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201811408241.4 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109545842B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王永维;马杰;吕树海;王国清;张力江 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 101300 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅器件终端结构及其制作方法。该碳化硅器件终端结构包括N+型SiC衬底、第一N‑型外延层、第二N‑型外延层、第一P型主结、P型终端、第二P型主结、第一电极层和第二电极层，通过将P型终端置于第一N‑型外延层内部远离表面的位置，使得碳化硅器件反向偏置时峰值电场位于SiC材料内部，从而能够解决现有碳化硅器件终端结构容易发生表面击穿的问题，同时还能够降低对SiC和钝化介质界面质量的要求，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅器件终端结构，其特征在于，包括：N+型SiC衬底；第一电极层，形成于N+型SiC衬底第一侧面上；第一N‑型外延层，形成于N+型SiC衬底第二侧面上；所述第一侧面与所述第二侧面为相对侧面；P型终端和第一P型主结，均形成于第一N‑型外延层中；第二N‑型外延层，形成于第一N‑型外延层上；第二P型主结，形成于第二N‑型外延层中，且与第一P型主结共同构成终端结构的P型主结；第二电极层，形成于第二P型主结上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京国联万众半导体科技有限公司，未经北京国联万众半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811408241.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
