[发明专利]一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法，首先在第二掺杂层背离衬底一侧形成一对应收集极区的自对准电极，以自对准电极为掩膜对衬底上的外延结构进行刻蚀，得到收集极区相应的台面，由于自对准电极与第二掺杂层结合强度大不易脱落，通过精确控制自对准电极的尺寸达到缩小收集极区相应台面的尺寸的目的，解决收集极区相应台面尺寸大的问题；由于先在收集极区相应处形成自对准电极，相当于已经完成在收集极区处欧姆电极的制备，避免了后续制程中对钝化膜对应收集极区处的开孔与连接电极的对准时精确需求，只需要设计连接电极与自对准电极对准接触即可完成对准要求，降低后续制作电极结构的工艺难度，提升了制作工艺稳定性。

主权项

1.一种基于电极自对准的半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底和在所述衬底上依次叠加的第一掺杂层、有源层和第二掺杂层，其中，所述衬底朝向所述第一掺杂层一侧表面划分为结区和收集极焊盘区，且所述结区包括发射极区和收集极区；在所述第二掺杂层背离所述衬底一侧、且对应所述收集极区处形成自对准电极；以所述自对准电极为掩膜，自所述第二掺杂层一侧起朝向所述衬底方向进行刻蚀，直至裸露所述第一掺杂层；将所述第一掺杂层对应所述结区以外部分去除；沉积钝化膜覆盖所述衬底结构在所述第二掺杂层侧的裸露面；去除所述钝化膜对应所述发射极区和所述自对准电极处的部分；在所述第一掺杂层对应所述发射极区形成发射极、在所述钝化膜对应所述收集极焊盘区形成收集极焊盘及形成连接所述自对准电极和所述收集极焊盘的连接电极。