[发明专利]具有纳米台阶递变层的高阻氮化镓基缓冲层及制备方法有效
| 申请号： | 201811405798.2 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109830535B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;刘波亭;张恺玄;杨健;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种具有纳米台阶递变层的高阻氮化镓基缓冲层，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、具有纳米台阶的高阻Al |
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| 搜索关键词： | 具有 纳米 台阶 递变 氮化 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有纳米台阶递变层的高阻氮化镓基缓冲层，其特征在于包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、具有纳米台阶的高阻AlxGa1‑xN缓冲层：所述具有纳米台阶的高阻AlxGa1‑xN缓冲层包含多个AlxGa1‑xN纳米台阶组，每一个所述AlxGa1‑xN纳米台阶组的台阶中Al的含量由最下层至最上层依次递变，相邻两个AlxGa1‑xN纳米台阶中Al组分的差值范围为2％‑50％。
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