[发明专利]一种超薄膜镍电极片式多层陶瓷电容器用Y5V特性介质材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811405406.2 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109516803A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王孝国;刘艳丽;宋永生;张尹;沈才 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/626;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;宋静娜 |
| 地址： | 526000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄膜镍电极片式多层陶瓷电容器用Y5V特性介质材料，按摩尔份计，包含主晶相90～98mol％、改性添加剂1.4～7.5mol％和烧结助熔剂0.5～8.0mol％，所述主晶相的结构式为(Ba1‑xCax)A(Ti1‑yZry)BO3，其中，0.01≤x≤0.05，0.10≤y≤0.25；1.003≤A/B≤1.10。本发明还公开了一种超薄膜镍电极片式多层陶瓷电容器用Y5V特性介质材料的制备方法，所述制备方法将BTZ与改性添加剂一同预烧合成，确保了改性添加剂能稳定分布在主晶相表面，不会出现局部成分偏离，提高超薄介质微观结构的连续性，进而提高MLCC器件的可靠性和介电性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 片式多层陶瓷电容器 改性添加剂 介质材料 超薄膜 镍电极 主晶相 制备 烧结助熔剂 超薄介质 介电性能 微观结构 预烧 按摩 偏离 合成 | ||
【主权项】：
1.一种超薄膜镍电极片式多层陶瓷电容器用Y5V特性介质材料，其特征在于，按摩尔份计，包含主晶相90～98mol％、改性添加剂1.4～7.5mol％和烧结助熔剂0.5～8.0mol％，所述主晶相的结构式为(Ba1‑xCax)A(Ti1‑yZry)BO3，其中，0.01≤x≤0.05，0.10≤y≤0.25；1.003≤A/B≤1.10。
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- 崔斌;王彦军;张小婷;靳权 - 西北大学
- 2018-06-01 - 2018-09-21 - C04B35/49
- 本发明公开了一种低温烧结高介电性能Y5V型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，采用溶胶‑凝胶法制备的锆钛酸钡作为主成分，烧结所得陶瓷最大介电常数为15950，容温变化率介于‑82％～22％，室温介电损耗＜0.5％，陶瓷晶粒尺寸为0.8μm‑7.6μm。本发明通过加入助烧剂获得具有优良的介电性能和显微结构的Y5V型高介电常数、低介电损耗的介质材料。本发明的低温烧结高介电性能Y5V型陶瓷电容器介质材料具有环保、低成本等特点，适用于制造大容量、小体积、高性能的多层陶瓷电容器，具有广阔的工业化应用前景。
- 一种超高温抗氧化陶瓷发热体的制备方法-201810353932.2
- 田秋珍;何伟仁;陈可 - 田秋珍
- 2018-04-19 - 2018-09-07 - C04B35/49
- 本发明公开了一种超高温抗氧化陶瓷发热体的制备方法，属于发热体制备技术领域。本发明陶瓷发热体分为内层和外层两个部分，通过将石墨作为发热体内层的掺杂成分提高发热体内层的导热能力，添加的稀土金属能提高陶瓷电阻率和高温强度，细化陶瓷晶粒，降低蠕变率，本发明在所用的二硅化钼中钼与硅之间以金属键结合，硅和硅之间则以共价键连结，为灰色四方晶体，当加热元件的温度高于1700℃时会形成SiO2保护膜，在熔点为1710℃下会发生稠合，与SiO2融合成熔融滴，覆盖发热体内层从而保护石墨等高导热性物质不被氧化，并利用碳化硅和膨润土互相填充的协同作用，使制得的陶瓷材料在超高温下具有良好的机械性能，应用前景广阔。
- 一种陶瓷电容器用介质材料-201810389997.2
- 乔庆鹏;张向丹;王伟;吴芳 - 郑州工程技术学院
- 2018-04-27 - 2018-08-17 - C04B35/49
- 本发明公开了一种陶瓷电容器用介质材料，属于电子材料技术领域，主要由以下重量份数的原料制成：碳酸锶15‑25份、碳酸钡15‑25份、钛酸丁酯25‑35份、正丁醇锆0.2‑0.4份、玻璃纤维0.5‑0.8份、硝酸锰0.2‑0.3份和聚乙二醇0.3‑0.5份。该材料采用溶胶凝胶法制备而成，最终产品介电性能优异，受温度影响变化小，成本低。
- 一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法-201810069586.5
- 李玲霞;卢特;张宁;王文波 - 天津大学
- 2018-01-24 - 2018-06-19 - C04B35/49
- 本发明公开了一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法，先将SrTiO3、Nb2O5、SiO2、In2O3、CaZrO3和玻璃粉，按质量百分比97.518％、0.7404％、0.2502％，0.07021％、0.8009％、0.6202％进行配料，经球磨、烘干、过筛，再添加7wt％石蜡进行造粒，压制成型为坯体；坯体排胶后于1300～1350℃还原气氛烧结，制成低损耗巨介电常数陶瓷电容器介质材料。本发明具有较低介电损耗(tanσ～0.03)和巨介电常数(ε25℃～1.55×105)。
- 高机械品质因数锆钛酸钡钙基陶瓷及其低温烧结制备方法-201810068621.1
- 陈小明;李国荣 - 贵州理工学院
- 2018-01-24 - 2018-05-29 - C04B35/49
- 本发明公开了一类高机械品质因数锆钛酸钡钙基陶瓷，并公开了这类无铅压电陶瓷的制备方法和用途。其原料组分及质量百分比为:其原料组分及质量百分比为:（Ba0.85Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1）O3‑x wt%Li2CO3，0<x£1.0,其中Li2CO3为助熔剂，烧结温度为1300‑1450oC,保温2h，其中Li2CO3为助熔剂。本发明烧结温度低，具有高压电性能、较高的机械品质因数、低的室温介电损耗。综合性能好，可以满足在谐振器等电子器件中的应用。
- 一种Mn掺杂Zr（Zn1/3Nb2/3）0.6Ti1.4O8微波介质陶瓷制备方法-201610846358.5
- 徐平芳 - 徐平芳
- 2016-09-23 - 2018-04-03 - C04B35/49
- 本申请公开了一种Mn掺杂Zr(Zn1/3Nb2/3)0.6Ti1.4O8微波介质陶瓷制备方法，包括步骤一、采用固相法合成Zr(Zn1/3Nb2/3)0.6Ti1.4O8基料；二、把MnCO3添加到Zr(Zn1/3Nb2/3)0.6Ti1.4O8基料中；三、将添加氧化铜的基料放入聚氨酯球磨罐中，以无水乙醇作为球磨介质，氧化锆为磨球，利用变频式行星球磨机球磨，球磨转速365rpm，正反转时间间隔为30min，按照原料磨球无水乙醇＝151比例球磨5小时；四、烘干、过筛；五、造粒；六、干压成型；七、烧结在600℃排胶4小时，然后按照3～5℃/min速率升至1260℃在空气气氛中保温6小时；八、冷却至室温。本发明通过Mn掺杂改性，有效的改善了介质陶瓷的烧结特性，可在1260℃的空气中烧结致密，且具有良好的微波介电性能。
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