[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201811393096.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110010759B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 魏惠娴;林仲德;蔡瀚霆;彭泰彦;戴品仁;李乾铭;赖昇志;温伟志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了由半导体器件形成的磁性隧道结单元的MRAM器件及其形成方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁性随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底部电极、磁性隧道结(MTJ)堆叠件和顶部电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，由此暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，由此暴露顶部电极。在与顶部电极接触的开口中形成导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包括底部电极、磁性隧道结(MTJ)堆叠件和顶部电极的磁性随机存取存储(MRAM)单元结构；在所述磁性随机存取存储单元结构上方形成第一绝缘覆盖层；在所述第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层；形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层中形成接触开口，由此暴露所述第二绝缘覆盖层；去除所述第二绝缘覆盖层的部分和所述第一绝缘覆盖层的部分，由此暴露所述顶部电极；以及在接触所述顶部电极的开口中形成导电层。
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