[发明专利]集成电路器件及其形成方法

摘要

本发明公开了具有优化的鳍和栅极尺寸的集成电路器件。示例性集成电路器件包括第一多鳍结构和第二多鳍结构。第一栅极结构横穿第一多鳍结构，从而使得第一栅极结构设置在第一沟道区上方。第二栅极结构横穿第二多鳍结构，从而使得第二栅极结构设置在第二沟道区上方。第一栅极结构包括具有第一厚度的第一栅极电介质，并且第二栅极结构包括具有第二厚度的第二栅极电介质。第一厚度大于第二厚度。第一多鳍结构在第一沟道区中具有第一间距，并且第二多鳍结构在第二沟道区中具有第二间距。第一间距大于第二间距。本发明的实施例还提供了集成电路器件及其形成方法。

主权项

1.一种集成电路器件，包括：/n第一多鳍结构，具有设置在第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区；/n第二多鳍结构，具有设置在第二源极区和第二漏极区之间的第二沟道区；/n第一栅极结构，横穿所述第一多鳍结构，从而使得在所述第一沟道区上方设置所述第一栅极结构；/n第二栅极结构，横穿所述第二多鳍结构，从而使得在所述第二沟道区上方设置所述第二栅极结构；/n其中，所述第一栅极结构包括具有第一厚度的第一栅极电介质，所述第二栅极结构包括具有第二厚度的第二栅极电介质，并且所述第一厚度大于所述第二厚度；以及/n其中，所述第一多鳍结构在所述第一沟道区中具有第一间距，所述第二多鳍结构在所述第二沟道区中具有第二间距，并且所述第一间距大于所述第二间距。/n