[发明专利]磁记录介质、溅射靶、溅射靶的制造方法、以及磁存储装置有效
| 申请号： | 201811365060.8 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109979492B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 室伏克己;石桥圭孝;福岛隆之;丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;徐晨;神边哲也;茂智雄 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/716 | 分类号： | G11B5/716;G11B5/851;G11B5/82;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L1 |
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| 搜索关键词： | 记录 介质 溅射 制造 方法 以及 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，依次具有衬底、基底层、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层，所述磁性层具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
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