[发明专利]一种面积优化带延时的比较器在审
申请号: | 201811351006.8 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109560793A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 张建强;衣晓峰 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种片上集成面积经过优化带延时的比较器电路,电路中利用比较器的放大作用和密勒效应,优化电路积分电容,使电路的面积得到很大的减小,本发明可以应用到电源电压抖动的检测。 | ||
搜索关键词: | 比较器 延时 电路 比较器电路 电源电压 放大作用 积分电容 面积优化 片上集成 优化电路 抖动 减小 检测 应用 优化 | ||
【主权项】:
1.一种面积优化带延时的比较器,其特征在于:比较器包括比较器输入级、比较器放大级和比较器驱动级;其中,比较器输入级包括PMOS管M1、M2、M3和NMOS管M4、M5,比较器放大级包括电阻R1以及PMOS管M6和NMOS管M7、M8、M9,比较器驱动级包括PMOS管M10、M12和NMOS管M11、M13;其连接关系为,PMOS管M1的源极连接电源电压AVDD、栅极连接偏置电压vbp、漏极连接PMOS管M2和PMOS管M3的源极;PMOS管M2的栅极连接负输入端vinn、漏极连接NMOS管M4的漏极和栅极以及NMOS管M5的栅极;PMOS管M3的栅极连接正输入端vinp、漏极连接比较器放大级输入节点vint1,NMOS管M5的漏极、NMOS管M7的栅极、NMOS管M9的栅极、NMOS管M8的栅极和漏极连接到比较器放大级输入节点vint1;NMOS管M9的漏极、NMOS管M7的漏端和源端、NMOS管M11的栅极、PMOS管M6的漏极和PMOS管M10的栅极连接在一起;NMOS管M11的漏极、NMOS管M13的栅极、PMOS管M10的漏极和PMOS管M12的栅极连接在一起;PMOS管M12的漏极和NMOS管M13的漏极连接在一起;PMOS管M6的源极、PMOS管M10的源极和PMOS管M12的源极连接电源电压AVDD;NMOS管M4的源极、NMOS管M5的源极、NMOS管M8的源极、NMOS管M11的源极和NMOS管M13的源极连接到地电压AVSS;电阻R1一端连接NMOS管M9的源极,另一端连接地电压AVSS。
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